美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來對精密半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車，通信，數(shù)字消費，工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。
 
ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的器件。當CE為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入電平降低功耗。通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許高字節(jié)（UB）和低字節(jié)（LB）訪問。IS61WV25616BLL封裝在JEDEC標準的44引腳TSOP TypeII和48引腳Mini BGA（6mmx8mm）中。ISSI代理英尚微電子支持提供樣品及產(chǎn)品技術(shù)支持等服務。

 
IS61WV25616BLL特征
高速：（IS61WV25616BLL）
•高速訪問時間：8、10、20ns
•低有功功率：85mW（典型值）
•低待機功率：7mW（典型值）
CMOS待機
•高速訪問時間：25、35、45ns
•低有功功率：35mW（典型值）
•低待機功率：0.6mW（典型值）
CMOS待機
•單電源
-VDD2.4V至3.6V（IS61/64WV25616Bxx）
•完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
•工業(yè)和汽車溫度支持
•無鉛可用
 
ISSI公司跨各種終端市場對高性能存儲設(shè)備的需求不斷增長，這為高性能存儲集成電路的集中供應商提供了巨大的機會。以開發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)，并在行業(yè)升級周期中更安全地獲取晶圓產(chǎn)能。并為滿足客戶需求提供長期供應。繼續(xù)開發(fā)和提供高性能產(chǎn)品。為主要市場開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品。為了增加產(chǎn)品的多樣化并提供SRAM，DRAM和閃存專業(yè)知識相輔相成的產(chǎn)品，開發(fā)精選的非內(nèi)存產(chǎn)品以供主要市場使用。


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