由于存儲芯片價格連連下跌，2023年幾大存儲原廠出現(xiàn)集體虧損，虧損預估達破紀錄的50億美元。報告顯示，2023年全球存儲器市場規(guī)模下降37%，成為半導體市場中下降最大的細分領域。
 
    在存儲市場供過于求，上游出現(xiàn)庫存積壓時，存儲原廠可通過降價、減產(chǎn)等手段來調(diào)控存庫存水位。減產(chǎn)和降價是一套組合拳，每當銷售價格接近生產(chǎn)成本時，原廠會加大減產(chǎn)力度，直至帶動存儲芯片價格上漲。
 
    2022年Q4起，鎧俠、美光科技、SK海力士、西部數(shù)據(jù)等存儲大廠陸續(xù)啟動減產(chǎn)、調(diào)整供給的舉措。緊接著，2023年上半年三星也加入了減產(chǎn)的行列，到去年9月，其NAND Flash的產(chǎn)量削減至總產(chǎn)能的50%，這主要集中在128層堆疊以下產(chǎn)品。
 
    在存儲原廠共同的努力下，NAND Flash(閃存)和DRAM(內(nèi)存)的合約價分別于去年Q3和Q4止跌。到今年Q1全線存儲產(chǎn)品已經(jīng)復蘇，DRAM合約價格上漲20%，NAND漲幅達23%-28%。預計DRAM在今年Q2會小幅上漲3%-8%，NAND上漲13%-18%，但在5月上旬又修正了Q2的數(shù)據(jù)，DRAM預計上漲13%-18%，NAND預計上漲15%-20%。
 
    今年4月3日的“花蓮地震”是一個轉(zhuǎn)折點。震前，DRAM和NAND上漲動力稍顯不足，其現(xiàn)貨價格和交易量均已持續(xù)走低。但震后，PC廠商開始接受DRAM、NAND合約價的大漲價，一直到今年4月底，新一輪合約價談判陸續(xù)完成，其價格漲幅超過預期。


本文關鍵詞：存儲芯片

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