隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對(duì)更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲(chǔ)選項(xiàng)。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運(yùn)行效率等方面更進(jìn)一步。
 
  為FPGA設(shè)計(jì)電路或應(yīng)用時(shí)，需要使用硬件描述語(yǔ)言(HDL)來(lái)描述FPGA內(nèi)部的功能應(yīng)如何布線。HDL代碼使用FPGA開(kāi)發(fā)軟件(如Lattice Radiant)編譯成FPGA配置文件，即位流。位流包含二進(jìn)制數(shù)據(jù)，告訴FPGA內(nèi)部的每個(gè)邏輯元件(觸發(fā)器、門電路等)如何連接和執(zhí)行數(shù)字功能。位流生成后，將存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器件中。在上電過(guò)程中，配置位流被加載到FPGA中。一旦配置了位流，F(xiàn)PGA就會(huì)開(kāi)始執(zhí)行任各類編程任務(wù)，如數(shù)據(jù)或信號(hào)處理、控制功能和協(xié)議橋接等。
 
  磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它利用材料的磁性來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與依靠電荷存儲(chǔ)的傳統(tǒng)閃存不同，磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器利用磁隧道結(jié)將二進(jìn)制數(shù)據(jù)表示為磁性狀態(tài)的方向。這種方法具有多種優(yōu)勢(shì)，包括更低的功耗、更高的耐用性以及更快的讀寫速度。此外，MRAM的非易失性確保了即使在沒(méi)有電源的情況下也能保留數(shù)據(jù)，使其成為閃存的可靠而高效的替代品。MRAM的可擴(kuò)展性以及與CMOS工藝無(wú)縫集成的能力，進(jìn)一步使其成為追求高能效存儲(chǔ)解決方案的有力競(jìng)爭(zhēng)者
 
  閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)表現(xiàn)固然出色，但新的應(yīng)用推動(dòng)了對(duì)更可靠的配置存儲(chǔ)的需求，它們需要在惡劣的環(huán)境條件下具有更好的穩(wěn)定性和更高的性能。例如，在需要高耐用性或高性能的網(wǎng)絡(luò)邊緣應(yīng)用中，MRAM 可以通過(guò)OTA處理大量的高速讀/寫周期，以支持持續(xù)的數(shù)據(jù)更新而無(wú)需經(jīng)歷擦除周期，也無(wú)需使用閃存文件系統(tǒng)或?qū)Ｓ每刂破?br />  
  使用MRAM來(lái)存儲(chǔ)FPGA配置位流不僅僅是一種技術(shù)升級(jí)，更是一種面向未來(lái)的高可靠性系統(tǒng)的戰(zhàn)略舉措。隨著各行各業(yè)對(duì)其電子元件的要求不斷提高，支持MRAM的FPGA系統(tǒng)已成為故障零容忍應(yīng)用的最佳解決方案。


本文關(guān)鍵詞：MRAM

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