Everspin領(lǐng)先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準(zhǔn)備設(shè)計(jì)和制造生態(tài)系統(tǒng)

 

亞利桑那州錢(qián)德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在業(yè)界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），這是一種新型高性能和超低延遲內(nèi)存，預(yù)計(jì)將改變存儲(chǔ)架構(gòu)并有助于推動(dòng)摩爾定律的不斷演變。

 

STT-MRAM在速度、面積、寫(xiě)入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中，因此被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的理想器件。STT-MRAM的應(yīng)用前景并不局限于傳統(tǒng)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系，還能夠擴(kuò)展到其他諸多領(lǐng)域，甚至有望成為通用存儲(chǔ)器。例如，寶馬公司在發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊采用MRAM以保證數(shù)據(jù)在斷電情況下不丟失。鑒于磁性存儲(chǔ)具有抗輻射的優(yōu)勢(shì)，空客公司在A350的飛行控制系統(tǒng)中采用MRAM以防止射線(xiàn)造成數(shù)據(jù)破壞。此外，在物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域，泛在的傳感器終端需要搜集海量數(shù)據(jù)，為節(jié)省存儲(chǔ)功耗，使用非易失性存儲(chǔ)器勢(shì)在必行，STT-MRAM以其相對(duì)優(yōu)良的性能成為熱門(mén)的候選器件

產(chǎn)品列表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

 

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

相關(guān)文章： Everspin即將打造千兆級(jí)芯片ST-MRAM

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。