中國發展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動。

---

 

　　紫光集團先前欲并購美光、與 SK 海力士談授權最后都無疾而終，最終與獲得中國存儲統籌資源的武漢新芯合并，進一步成立長江存儲公司，由紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長，大基金總經理丁文武出任副董事長，并由原武漢新芯CEO楊士寧出任總經理負責 NAND Flash芯片，轉戰紫光的前華亞科董事長則任長江存儲營運長重起爐灶籌備DRAM建廠。
 

　　武漢新芯存儲基地已在 2016 年 3 月底動土，根據先前取得的消息，新的存儲基地將分三期，總規劃面積約 100 萬平方米，一期于 8 月開工、預計 2018 年建設完成，月產能約 20 萬片，而官方目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。第一步已與 NOR 內存廠商飛索半導體（Spansion）簽訂技術授權，從 3D NAND Flash 下手，并預計 2017 有能力推出 32 層堆疊、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash芯片。在 DRAM 進展上與美光洽談技術授權還未有眉目，也有消息指出，高啟全正招兵買馬透過人脈挖角中國臺灣地區 DRAM 相關人才，或為建廠做準備。

 

　　在 SDRAM 進展有較大突破的為福建后起勢力，福建省政府在 5 月宣布，所投資的晉華集成與聯電簽訂技術合作協定，由聯電接受晉華委托開發 DRAM 相關制程技術，生產利基型 DRAM，團隊由瑞晶、美光臺灣前總經理、現任聯電資深副總經理陳正坤領軍，在 7 月 12 寸廠建廠奠基的同時，已在中國臺灣地區的南科建立小型試產線，據了解初期將導入 32 納米，但最終目標其實放在 25 納米以下制程，以求與其他 DRAM 大廠不致有太大落差，初步產能規劃每月 6 萬片，估計 2017 年底完成技術開發，2018 年 9 月試產，并在 2019 年以前將產線移轉至福建新廠。
 

　　而合肥欲起的 DRAM 勢力在前爾必達社長坂本幸雄淡出合肥后，由中國本土 NOR Flash 廠商兆易創新（GigaDevice）與中芯國際前CEO王寧國所主導，目前兆易創新將與武岳峰等中國基金并購的美國 DRAM 廠 ISSI 合并，成為長江存儲后，另一家 DRAM/NAND Flash 發展兼具的內存廠商。
 

　　除了三廠競逐成為焦點，團隊主導人也頗有淵源，主導合肥團隊的王寧國與長江存儲總經理楊士寧同樣出身中芯國際，先前兩派人馬在中芯斗爭多年甚至躍上新聞版面，如今再度碰頭；而現任長江存儲營運長的高啟全與聯電資深副總經理陳正坤，相繼待過華亞科、美光體系，中國內存爭戰熟人相爭就看誰能帶領團隊率先出線。

       了解更多關于存儲芯片知識，請關注英尚微電子：http://www.lzwv.cn