使用傳感器的自動(dòng)化應(yīng)用也從MRAM技術(shù)得到很大的益處。因?yàn)閭鞲衅鞒掷m(xù)向內(nèi)存儲器中寫入數(shù)據(jù)，對于閃存而言難以與該數(shù)據(jù)流速保持一致。新的氣囊系統(tǒng)具有傳感器來檢測并記錄旅客重量、與汽車上其它安全設(shè)備的交互以及碰撞的程度。

需要不停地寫入存儲器的其它自動(dòng)化系統(tǒng)還有里程表、輪胎氣壓表和ABS。因?yàn)椴煌５貙懭耄苋菀拙蜁龃鎯ζ鞯膶懖脸芰?，?dǎo)致存儲器損壞。MRAM的無限次寫周期將確保系統(tǒng)更可靠，在氣囊和ABS這類的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中更需要。

基于MRAM有許多優(yōu)點(diǎn)，還可以將其用于軍事應(yīng)用。有許多系統(tǒng)依賴于電池后備供電的SRAM。這些應(yīng)用對電池有固有的依賴性。而MRAM是一種更可靠的選擇，軍事應(yīng)用已意識到這一點(diǎn)。Honeywell已經(jīng)許可飛思卡爾半導(dǎo)體的MRAM技術(shù)用于軍事和航空應(yīng)用。

隨著MRAM技術(shù)的改進(jìn)，嵌入式系統(tǒng)在體系結(jié)構(gòu)將會有巨大變動(dòng)。到目前為止，MRAM具有最好的潛力來替代嵌入式微控制器中的RAM+Flash存儲器(通常RAM用于數(shù)據(jù)存儲，閃存用作程序內(nèi)存)。MRAM將會替代這兩種存儲器，實(shí)現(xiàn)單存儲器體系結(jié)構(gòu)。在微處理控制器中具有芯片特定的ROM代碼，可以用MRAM來替代以對那些代碼進(jìn)行快速現(xiàn)場可編程升級。

在更大的系統(tǒng)中，微處理器與RAM內(nèi)存的交互提供了快速讀寫能力。DRAM大都用作臨時(shí)存儲區(qū)來儲存應(yīng)用程序。硬盤驅(qū)動(dòng)器用于存儲應(yīng)用程序軟件和數(shù)據(jù)的非易失性信息，但讀寫緩慢。一旦用MRAM替代所有的這些存儲設(shè)備之后，PC和其它系統(tǒng)將可以即時(shí)啟動(dòng)，并可以停止的位置恢復(fù)工作。MRAM的這些優(yōu)異性能可以為此技術(shù)打開廣泛的市場機(jī)會。

目前，還沒有通用的存儲器。所有的存儲器在寫周期、數(shù)據(jù)保存、讀寫速度、陣列密度、能量消耗和價(jià)格方面都各有缺陷。市場上所有現(xiàn)有的存儲器都有其固有的限制，使其無法具有所有存儲器類型綜合起來的最好功能。但是，隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，MRAM以其獨(dú)有的優(yōu)勢有望成為通用的存儲器。

本文關(guān)鍵詞：MRAM  DRAM    SRAM

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